研究职员表示，他们通过将在200摄氏度以下温度合成的范德瓦尔斯二维纳米材料运用于漏极电极和离子阻挡层，成功地实现了垂直反应电化学随机存取存储器（ECRAM）器件的三维超高度集成。

突触器件的开拓须要精确掌握离子的移动。
研究团队成功地通过在通道和离子电解质层之间利用由二维纳米材料制成的樊篱层来掌握离子移动。
这使他们能够实现高性能的突触特性，如线性、对称性和耐久性，并达到95.22%的高手写模式识别准确率。

此前，在ECRAM器件中，石墨烯等二维材料被用来制造樊篱层以掌握电解质层中的离子迁移，但难以实现高密度、高产量的突触半导体器件。

三维超高密度类脑神经突触设备的开拓技能被认为是一项关键的材料和工艺技能，它能够实现人工智能半导体开拓所需的大规模打算的超高速、超低功耗。

金勇勋表示：“利用这项研究的成果，我们将连续研究二维半导体材料的大面积合成及其在电子设备商业化和半导体生产工艺中的运用。
”

（编译：聆丰）

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