SK海力士将参加未来存储器和存储峰会 推人工智能优化内存解决筹划_人工智能_峰会
SK海力士将在峰会上展示的产品包括321层NAND闪存、ZUFS 4.0、PS1010、PCB01、LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0和GDDR6-AiM。
SK海力士的HBM工艺集成主管Unoh Kwon和SSDPMO主管Chunsung Kim将在峰会上揭橥主题演讲,题为《人工智能时期的AI内存和存储办理方案领导力与愿景》。
两位高管将详细先容公司的DRAM和NAND产品组合,并展示针对人工智能优化的内存办理方案。
这次峰会原名为闪存峰会(Flash Memory Summit),随着人工智能技能的关注度提升,今年更名为未来存储器和存储峰会(Future Memory and Storage),以吸引包括DRAM和存储供应商在内的更多参与者。
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